تاخیر برنامه‌های «سامسونگ» برای تولید تراشه‌ ۳ نانومتری

زومیت- مشکلات فنی احتمالا باعث به وجود آمدن تاخیر در روند برنامه‌های سامسونگ برای استفاده از ترانزیستور GAA و تولید تراشه با فرآیند ساخت ۳ نانومتری خواهد شد. اخبار هفته گذشته حاکی از این بودند که فرآیند ساخت ۳ نانومتری TSMC با تاخیر مواجه شده و به همین دلیل، آیفون‌های ۲۰۲۲ اپل احتمالاً از همان تراشه A16 بایونیک بر پایه فرآیند ۴ نانومتری استفاده خواهند کرد. بر اساس گزارش Digitimes Asia، سامسونگ هم احتمالا با مشکل مشابهی مواجه شده و نمی‌تواند فرآیند ساخت ۳ نانومتری خود را بر اساس برنامه وارد چرخه تولید تراشه کند.
در واقع سامسونگ قصد دارد تراشه‌های خود را با ترانزیستور GAA و با استفاده از فرآیند ساخت ۳ نانومتری تولید و جایگزین ترانزیستور FinFET کند؛ اما در گزارش Digitimes Asia اشاره شده که شرکت کره‌ای در روند پیاده‌سازی این تکنولوژی ساخت به مشکلات فنی برخورده است. طبق این گزارش، تراشه‌های GAA تولیدشده با فرآیند ساخت ۳ نانومتری سامسونگ در حد رقابت با تراشه‌های ۳ نانومتری FinFET شرکت TSMC نخواهند بود.